robots
电脑技巧收藏家
当前位置:首页>>电脑基础>>正文

BIOS完全教程: AMI BIOS高级芯片组特性设定

 

 

 

biossz3-5.jpg (29691 字节)

 

DRAM Timing Control(内存频率控制)
  按下回车进入子菜单并出现以下的屏幕。

Current Host Clock(当前主时钟)biossz3-6.jpg (23445 字节)
  此项显示可当前CPU的频率。

Configure SDRAM Timing by
  设置决定SDRAM 的时钟设置是否由读取内存模组上的SPD (SerialPresence Detect) EEPROM 内容决定。设置为Enabled将根据SPD自动如果您对芯片组不熟悉请不要修改这些设定。决定以下项目SDRAM Frequency, SDRAM CAS# Latency, RowPrecharge Time, RAS Pulse Width, RAS to CAS Delay SDRAM BankInterleave 。选择User允许用户受动配置这些项目。

SDRAM FrequencySDRAM时钟)
  使用此项设定所安装内存的时钟,设定选项为: 200MHz, 266MHz,333MHz, 400MHz, Auto*查阅附录:详细的关于推荐的DDR400内存模组

SDRAM CAS# LatencySDRAM CAS#延迟)
  项控制在SDRAM接受并开始读指令后的延迟时间(在时钟周期内) 的。设定值为:1.5, 2, 2.5, 3.0 (clocks)2 (clocks)是增加系统性能,而3 (clocks)是增加系统的稳定性。

Row Precharge Time(行充电时间)
  此项可以控制行地址滤波(RAS) 充电时钟周期数。如果在内存刷新前没有足够的时间允许RAS充电,刷新可能不完全并且内存可能保存数据失败。此项仅在系统中安装有同步DRAM才有效。有效的设定: 2T, 3T

RAS Pulse WidthRAS脉冲波长)
  此项允许您根据内存规格,设置RAS脉冲波长的时钟周期数。更小的时钟周期会使DRAM有更快的性能表现。设定值有: 6T, 5T

RAS to CAS DelayRASCAS的延迟)
  当DRAM 刷新后,所有的行列都要分离寻址。此项设定允许您决定从RAS (行地址滤波) 转换到CAS (列地址滤波)的延迟时间。更小的时钟周期会使DRAM有更快的性能表现。设定值有: 3T, 2T

Bank Interleave(堆插入数)
  此项设定安装的SDRAM的插入数是2-堆还是4-堆。如果安装16MBSDRAM 请禁用此功能。设定值为:Disabled(禁用), 2-Way 和 4-Way

DDR DQS Input Delay (DDR DQS输入延迟)
  此项允许您设定DQS 的延迟时间,以改善数据处理速度,同时提升稳定性。设定值有:Auto, 18, 08, 0E, 0F

SDRAM Burst LengthSDRAM爆发存取长度)
  此设置允许你设置DRAM爆发存取长度的大小。爆发特征是DRAM在获得第一个地址后自己预测下一个存取内存位置的技术。使用此特性,你必须要定义爆发长度,也就是开始地址爆发脉冲的实际长度。同时允许内部地址计数器能正确的产生下一个地址位置。尺寸越大内存越快。设定值: 4 QW, 8 QW

SDRAM 1T CommandSDRAM 1T指令)
  此项控制SDRAM的指令速率。选择Enabled(启用)允许SDRAM信号控制器运行在1T (T=时钟周期)速度。选择Disabled(禁用) 使SDRAM 信号控制器运行在2T 速度。1T 2T的速度快。设定值有: Disabled(禁用),Enabled(启用)。

Fast Command(快速指令)
  此项可以控制CPU的内在速率。选择Ultra允许CPU 以最快的速度运算数据/指令。Fast允许CPU 快速运算,Normal会让CPU在慢一点的速度运算。

Fast R-2-R Turnaround(快速R-2-R转向)
  任何一个内存库的读请求都可以中断爆发读取操作对任何列的访问都是被允许。读操作到读操作最小间隔是1个时钟周期。选择Enabled 可以缩短转向时间间隔,进而提升系统性能表现。
  设定值有: Disabled, Enabled

AGP Timing ControlAGP调速控制)
  按下<Enter> (回车)进入子菜单并显示以下屏幕:
  AGP Mode(AGP模式)biossz3-7.jpg (17238 字节)
  此项为安装的AGP卡设定一个适当的模式。设定值为: 1x, 2x, 4x,Auto。只有当您的AGP卡支持时才能选择4x

AGP Fast Write(AGP快写)
  此选项决定是否启用AGP快写特性。此特性允许CPU直接向显示卡写入,而不必经由系统内存,这样可以增进AGP 4X的速度。仅当您的AGP卡支持此特性时才能选择Enabled
  设定值有:Enabled, Disabled

AGP Aperture Size (AGP孔径尺寸)
  此项用来控制有多少系统内存可分配给AGP卡显示使用。孔径是用于图形内存地址空间一部分PCI内存地址范围。进入孔径范围内的主时钟周期会不经过翻译直接传递给AGP。设定值为:4MB8MB16MB32MB64MB128MB,和256 MB

AGP Master 1 W/S Write (AGP总线写入的1个等待状态)
  此项设置允许用户在AGP总线的写周期中插入一个等待状态。设定值为: Enabled, Disabled

AGP Master 1 W/S Read (AGP总线读取的1个等待状态)
  此项设置允许用户在AGP总线的读周期中插入一个等待状态。设定值为: Enabled, Disabled

AGP Read Synchronization (AGP读同步)
  此项允许您开启或者关闭读同步特性。设定值为:Enabled,Disabled

PCI Delay Transaction(PCI延迟处理)
  芯片组内建一个32-bit写缓存,可支持延迟处理周期,使得系统与ISA总线进行的数据交换可被缓存,并且当ISA总线释放时PCI总线可以进行其他的数据交换。选择Enabled支持与PCI规格版本2.1兼容。设定值为:Enabled, Disabled

 

来源:互联网



上一篇:BIOS完全教程: AMI BIOS之电源管理特征

下一篇:BIOS完全教程: AMI BIOS之高级BIOS特性设定

设为主页 | 加入收藏 | 联系我 | 手机版
免责声明:本站资料来源于互联网,其版权归原作者所有。
如内容涉及或侵犯了您的权益,请通知我!
66998.com.cn版权所有 Copyright©2009  桂ICP备08100152号
建议使用分辨率:1024*768及更高

桂公网安备 45082102000110号